在半導體制造工藝中，氯氣（Cl?）主要應用于以下關鍵環節，這些環節均基于其強氧化性和化學反應特性，實現對半導體材料的精準加工或清潔：

一、晶圓干法蝕刻

工藝目的：通過化學反應精確去除晶圓表面特定區域的半導體材料（如硅、硅化物等），構建微米級或納米級電路圖案。
氯氣作用：氯氣作為核心蝕刻氣體，在等離子體環境下分解為氯自由基（Cl·），與硅（Si）發生化學反應（Si + 2Cl? → SiCl?↑），生成易揮發的四氯化硅氣體，從而實現對晶圓特定區域的“選擇性刻蝕"，確保電路圖案的精度（如線寬偏差＜0.1μm）。

二、光刻膠剝離

工藝目的：清除光刻工藝后殘留的光刻膠（一種光敏聚合物材料），避免其影響后續離子注入、金屬沉積等工藝的潔凈度。
氯氣作用：氯氣與氧氣（O?）混合形成等離子體，與光刻膠中的有機成分發生氧化反應，將光刻膠分解為CO?、H?O及含氯揮發性物質，通過抽氣系統排出，實現晶圓表面的清潔。

三、離子注入后清洗

工藝目的：離子注入工藝（向晶圓摻雜雜質以調整導電性）后，清除晶圓表面殘留的雜質離子、光刻膠殘渣及反應副產物。
氯氣作用：氯氣的強氧化性可分解殘留的有機污染物（如光刻膠碎片），同時與金屬雜質離子形成可溶性氯化物，通過后續濕法清洗去除，確保晶圓表面潔凈度符合半導體工藝要求（顆粒度＜0.1μm）。

以上環節中，氯氣的應用直接關系到半導體器件的性能（如蝕刻精度、電路導通性）和良率，是半導體制造中的關鍵輔助材料。

在線式氯氣氣體檢測儀采用高性能智能化氣體傳感器，是一款可在線氣體進行連續在線監測的高性能儀器。探測器整體隔爆結構，靈敏度及精度高。在線式氯氣氣體檢測儀探測器通過氣體報警控制器及監控管理軟件在電腦上可以實現實時濃度顯示，也可以通過選配的無線模塊將實時的監測數據和報警狀態傳到安全控制中心

在線式氯氣氣體檢測儀信號傳輸方式

三芯（四芯）屏蔽電纜傳輸：最遠可傳輸1000米至2000米（單芯1平方屏蔽電纜）

光纖傳輸：最遠可傳輸20～40公里，光纖MODEM單模多芯傳輸（選配）

GPRS無線傳輸：無距離限制，內置模塊，通過運營商信號傳輸（選配）